Propiedades de Transporte Electrónico y Óptico de Multicapas de Grafeno y Bismuto

Abstract

El bismuto en películas delgadas tiene una resistividad eléctrica cuyo comportamiento en función de la temperatura se asemeja al de los semiconductores, lo que lo convierte en un material de interés tecnológico. En este trabajo se estudian las propiedades electrónicas y ópticas de grafeno bicapa y películas delgadas de bismuto de 15𝑛𝑚 de espesor. La síntesis del grafeno se realizó mediante deposición química de vapor (CVD), y las películas delgadas de bismuto fueron depositadas por evaporación térmica. Los arreglos AB de Bi-MG fueron caracterizados empleando espectroscopía UV-Vis, Raman y mediciones de resistividad en un rango de temperatura desde ambiente hasta los 100𝑜𝐶. Los resultados evidenciaron que la combinación de estos materiales produce cambios prometedores en la transmitancia óptica, mismos que se ven influenciados por la temperatura y el grosor de las películas de bismuto. Por otra parte, el grafeno bicapa, al actuar como un modulador de la luz al integrarse con el bismuto y, siendo la temperatura uno de los parámetros más determinantes de este estudio, modificando linealmente la resistividad del material, demuestra un alto potencial para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos transparentes y conductores, como la mejora de la eficiencia de paneles solares. Palabras clave: bismuto, películas delgadas, resistividad, grafeno, transmitancia óptica.